MMT05B230T3, MMT05B260T3, MMT05B310T3
380
360
1000
900
340
320
300
280
260
240
220
MMT05B310T3
MMT05B260T3
MMT05B230T3
800
700
600
500
400
300
200
200
? 50
? 2 5
0
25
50
75
100
125
100
? 50
?25
0
25
50
75
100
125
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Breakover Voltage versus Temperature
t r = rise time to peak value
100
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. Holding Current versus Temperature
100
50
Peak
Value
t f = decay time to half value
Half Value
10
0
0 t r
t f
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
TIME ( m s)
Figure 5. Exponential Decay Pulse Waveform
TIME (sec)
Figure 6. Peak Surge On?State Current versus
Surge Current Duration, Sinusoidal Waveform
TIP
OUTSIDE
PLANT
RING
GND
http://onsemi.com
4
TELECOM
EQUIPMENT
相关PDF资料
MMT08B260T3G TSPD BIDIRECT 260V 80A SMB
MMT08B310T3 THYRIST TSPD BIDIR 80A 310V SMB
MMT08B350T3G TSPD BIDIRECT 350V 80A SMB
MMT10B310T3G THYRIST TSPD BIDIR 100A 270V SMB
MMT10B350T3G THYRIST TSPD BIDIR 100A 350V SMB
MNT-102-BK-T CONN SHUNT 4POS
MOV-07D121KTR VARISTOR 120V 7MM RADIAL
MOV-10D431KTR VARISTOR 430V 10MM RADIAL
相关代理商/技术参数
MMT05B350T3 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT05B350T3G 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT08B064T3 功能描述:硅对称二端开关元件 80A Surge 64V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT08B064T3G 功能描述:硅对称二端开关元件 80A Surge 64V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT08B260T3 功能描述:硅对称二端开关元件 80A Surge 260V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT08B260T3G 功能描述:硅对称二端开关元件 80A Surge 260V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT08B310T3 功能描述:硅对称二端开关元件 80A Surge 310V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
MMT08B310T3_05 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD